CYSJ106DFN GaAs Linearer Hall-Effekt Sensor
Produktinformationen "CYSJ106DFN GaAs Linearer Hall-Effekt Sensor"
Die CYSJ106DFN Hall-Effekt Elementserie ist ein mit Ionen implantierter Magnetfeldsensor, der aus einem monokristallinen Gallium-Arsen (GaAs) Halbleitermaterial der Gruppe (III-V) hergestellt wird, die Ionenimplantierte Technologie wird angewandt. Er kann ein magnetisches Flussdichtesignal linear in ein Ausgangsspannungssignal umwandeln.
Eigenschaften
- hohe Linearität
- ausgezeichnete Temperaturstabilität
- Miniaturgehäuse
- weiter Messbereich 0-3T
Typische Anwendungen
- Magnetfeldmessungen
- DC Bürstenlose Motoren
- Stromsensor
- Kontaktlose Schalter
- Positionskontrolle
- Drehzahlerkennung
Informationen über Produktsicherheit:
Hersteller/ EU Verantwortliche Person:
Unternehmensname: ChenYang Technologies GmbH & Co.KG
Adresse: Markt Schwabener Str. 8; 85464 Finsing; Deutschland
E-Mail: info@chenyang.de
Telefon: +49 8121 2574100
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ +125°C |
|---|---|
| Eingangs-/Ausgangswiderstand: | 650 ~ 850 kΩ/ 650 ~ 850kΩ |
| Gehäuse/Größe: | DFN/1.2x0.5x0.3mm |
| Linearität: | 2% |
| Max.Sensitivität: | 1.80 ~ 2.4 mV/mT |
| Max. Versorgungsstrom/-spannung: | 11mA/9.5V |
| Messbereich: | 3T |
Hersteller:
Unternehmensname: ChenYang Technologies GmbH & Co.KG
Adresse: Markt Schwabener Str. 8; 85464 Finsing; Deutschland
E-Mail: info@chenyang.de
Telefon: +49 8121 2574100