GaAs Hall Effekt Element CYSJ902, Max. Sensitivität: 1.44 ~ 2.16 (mV/mT), Messbereich: 2T

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GaAs Hall Effekt Element CYSJ902, Max. Sensitivität: 1.44 ~ 2.16 (mV/mT), Messbereich: 2T

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Die CYSJ902 Hall-Effekt Elementserie ist ein mit Ionen implantierter Magnetfeldsensor, der aus... mehr
GaAs Hall Effekt Element CYSJ902, Max. Sensitivität: 1.44 ~ 2.16 (mV/mT), Messbereich: 2T

Die CYSJ902 Hall-Effekt Elementserie ist ein mit Ionen implantierter Magnetfeldsensor, der aus einem monokristallinen Gallium-Arsen (GaAs) Halbleitermaterial der Gruppe (III-V) hergestellt wird, die Ionenimplantierte Technologie wird angewandt. Er kann ein magnetisches Flussdichtesignal linear in ein Ausgangsspannungssignal umwandeln.

Eigenschaften

  • hohe Linearität 
  • ausgezeichnete Temperaturstabilität 
  • Miniaturgehäuse 
  • Ersatz für THS119, KSY14 und KSY44 usw.

Typische Anwendungen

  • Magnetfeldmessungen 
  • DC Bürstenlose Motoren 
  • Stromsensor 
  • Kontaktlose Schalter 
  • Positionkontrolle 
  • Drehzahlerkennung
Betriebstemperatur: -40°C ~ +125°C
Messbereich: 3T
Eingangs-/Ausgangswiderstand: 650 ~ 850 kΩ/ 650 ~ 850kΩ
Linearität: ±1,0%
Gehäuse/Größe: SIP/2.75x2.8x0.9mm
Max. Versorgungsstrom/-spannung: 13 mA/12 V
Max.Sensitivität: 1.44 ~ 2.16 mV/mT
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