InSb Hall-Effekt Elemente CYSH12AF, Max. Sensitivität: 7.84 - 16.6 (mV/mT)

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InSb Hall-Effekt Elemente CYSH12AF, Max. Sensitivität: 7.84 - 16.6 (mV/mT)
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InSb Hall-Effekt Elemente CYSH12AF, Max. Sensitivität: 7.84 - 16.6 (mV/mT)

Das Hall-Effekt Element CYSH12AF wird aus dem zusammengesetzten Halbleitermaterial Indium Stibnit (lnSb) hergestellt, es arbeitet nach dem Hall-Effekt Prinzip. Mit dem Element kann ein magnetisches Flussdichtensignal linear in ein Ausgangsspannungssignal umgewandelt werden. Es handelt sich hierbei um die neue Generation von Hall-Effekt Elementen CYTY101A.

Eigenschaften

  • hohe magnetische Empfindlichkeit 
  • niedrige Offset-Spannung 
  • Miniaturgehäuse

Anwendungen

  • Magnetfeldmessung 
  • Stromsensor 
  • Geschwindigkeitsmessung 
  • DC Bürstenlose Motoren 
  • Positionkontrolle
Gehäuse/Größe: SOT143/2.9x1.5x1.1mm
Max.Sensitivität: 7.84 ~ 16.6 mV/mT
Eingangs-/Ausgangswiderstand: 240 ~ 550kΩ/240 ~ 550kΩ
Max. Versorgungsstrom/-spannung: 20 mA
Betriebstemperatur: -40°C ~ +110°C
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