InSb Hall-Effekt Elemente CYSH12AF, Max. Sensitivität: 7.84 - 16.6 (mV/mT)
Serien-Nr:
CYSH12AF
Artikel-Nr:
CYSH12AF
Produktinformationen "InSb Hall-Effekt Elemente CYSH12AF, Max. Sensitivität: 7.84 - 16.6 (mV/mT)"
Das Hall-Effekt Element CYSH12AF wird aus dem zusammengesetzten Halbleitermaterial Indium Stibnit (lnSb) hergestellt, es arbeitet nach dem Hall-Effekt Prinzip. Mit dem Element kann ein magnetisches Flussdichtensignal linear in ein Ausgangsspannungssignal umgewandelt werden. Es handelt sich hierbei um die neue Generation von Hall-Effekt Elementen CYTY101A.
Eigenschaften
- hohe magnetische Empfindlichkeit
- niedrige Offset-Spannung
- Miniaturgehäuse
Anwendungen
- Magnetfeldmessung
- Stromsensor
- Geschwindigkeitsmessung
- DC Bürstenlose Motoren
- Positionkontrolle
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ +110°C |
|---|---|
| Eingangs-/Ausgangswiderstand: | 240 ~ 550kΩ/240 ~ 550kΩ |
| Gehäuse/Größe: | SOT143/2.9x1.5x1.1mm |
| Max.Sensitivität: | 7.84 ~ 16.6 mV/mT |
| Max. Versorgungsstrom/-spannung: | 20 mA |
Hersteller:
Unternehmensname: ChenYang Technologies GmbH & Co.KG
Adresse: Markt Schwabener Str. 8; 85464 Finsing; Deutschland
E-Mail: info@chenyang.de
Telefon: +49 8121 2574100